半导体制程来了解气体的应用，则薄膜制程会是相当大宗的使用部分，薄膜制程依照其成长方式之不同，可分金属化溅镀薄膜、CVD薄膜、磊晶，金属化溅镀(物理气相沈积)主要应用在金属层成长，如铝、铜等，其原理是利用氩气电浆轰击金属靶材产生动量转换，将金属靶材表面之原子溅击出来，并吸附在硅芯片表层，溅镀使用的氩气纯度要求很高，若含有较多O2、N2及H2杂质，会增加金属层之电阻性，并产生硬化、空隙等缺陷，会影响到制程良率。